卓越工藝品質

• 適用於高功率 Grooving UV USP 的加工工藝，波長 343 µm; 脈衝長度 0.5 .. 10 皮秒
• 實際生產時毛邊 < 1 µm
• 加工深度 (含/不含金屬) < 1 µm
• 晶片強度 > 800 MP
• 工藝控制 - 在線視覺檢測和工藝參數紀錄

生產可擴展性

• 全自動校準 D-DOE 設定 < 1 µm
• 靈活性 - 可選擇多達 8 個 DOE 配方
• 成熟的平台概念，已運行 10 年

符合生產鏈要求

• 可處理厚度至 80 μm 的已加工溝槽晶圓

具有競爭力的生產成本

• 生產速度每小時與或優於 Grooving UV 工藝

卓越工藝品質

• 專用於高功率 Grooving UV 波長 355 µm; 脈衝長度納秒範圍
• 結合多光束概念，產生良好的 U 型溝槽輪廓
• 工藝控制 - 在線視覺檢測和工藝參數記錄

生產可擴展性

• 全自動校準，精確的溝槽和矩陣 DOE 設定 < 1 µm; 功率位準 < 0.1 W; 記錄
• 靈活性 - 可選擇多達 8 個 DOE (配方)

符合生產鏈要求

• 晶圓處理選項可精準地在 8" 和 12" 的框架之間轉換
• 手動式料盒加載站，自動化物料處理系統 (AMHS)
• 工廠控制 SECS/GEM 接口

具有競爭力的生產成本

• 超短輸送時間令時產能提升 > 20%
• 實時切口檢查令時產能提升 > 25%

卓越工藝品質

• 專用於高功率 UV 切割，波長 355 µm; 脈衝長度 0.5 .. 10 皮秒
• 結合多光束概念，產生低熱影響區值 (< 3 µm)
• 工藝控制 - 在線視覺檢測和工藝參數記錄

生產可擴展性

• 全自動校準，精確的溝槽、線條、矩陣和 V 型 DOE 設定 < 1 µm; 功率位準 < 0.1 W
• 靈活性 - 可選擇多達 8 個 DOE (配方)

符合生產鏈要求

• 晶圓處理選項可精準地在 8" 和 12" 的框架之間轉換
• 手動式料盒加載站，自動化物料搬運系統 (AMHS)
• 工廠控制 SECS/GEM 接口

具有競爭力的生產成本

• 高速全切割工藝
• 適用於多層晶圓的單一生產步驟 (DAF 膠帶; 背面金屬; 上部結構)
• 低塗層消耗

卓越工藝品質

• 採用高功率紅外線切割，波長 1064 µm; 脈衝長度為納秒級
• 專為切割厚度高達 300 µm 的 GaAs 晶圓而設計
• 獨有的濕式蝕刻後處理工藝可顯著提升側壁品質和毛邊去除

生產可擴展性

• 全程由配方控制，包括塗層、切割和清洗
• 靈活性 - 可選擇多達 3 個 DOE (配方)

符合生產鏈要求

• 晶圓處理選項可精準地在 8" 和 12" 的框架之間轉換
• 手動式料盒加載站，自動化物料搬運系統 (AMHS)
• 工廠控制 SECS/GEM 接口