沉積方案

凸塊是一種先進的晶圓級製程技術，在將晶圓或電路板切割或「切割」成單一晶片之前，在基板上形成由各種金屬製成的「凸塊」或「球」。晶圓凸點是覆晶或板級半導體封裝的重要組成部分，已成為當今消費性電子產品互連技術的標準。這些「凸塊」是將晶片連接到基板並在分割後成為封裝的組件。這些互連構件可以是凸塊或銅柱，由金屬焊料（例如共晶或無鉛 SnAg）組成。

凸塊或柱在晶片和基板之間提供比引線鍵合更短的路徑，以提高覆晶封裝的電力、機械和熱性能。對於性能驅動的市場，覆晶互連可減少訊號傳播延遲，提供更好的頻寬，並緩解功率分配的限制。凸塊的成分和尺寸取決於最終形狀因數、成本以及電力、機械和熱性能等要求。銅柱結構已成為細間距、無鉛或高電流應用設備的首選互連解決方案。對於形狀因素驅動的市場，例如行動應用，用覆晶互連取代引線鍵合可以減少封裝的尺寸和重量，並提供更好的性能。

銅柱	凸塊	重布線層	填孔

扇出過程通常表示位於晶片外殼內部和外部的互連的重新分佈。扇出一詞通常包括多種組裝方法：嵌入式晶圓級封裝 (WLP)、嵌入式晶圓級球柵陣列 (eWLB)、晶圓級系統級封裝 (WLSiP)。扇出製程還可以嵌入晶片電容器和電感器，也被考慮用於 3D 晶片堆疊。

扇出技術通常是在所有 KGD（已知良好晶片）上重構新晶圓或面板的過程。 KGD 被準確放置並用雙面膠帶或黏合劑暫時固定在中介層上。然後，應用 EMC（嵌入式模塑料）來創建新的晶圓或面板。一旦創建了新的晶圓或面板，前端光刻步進機就會應用 RDL（重布線層）來連接和重新定位互連。 RDL 製程要求濺鍍越來越薄的 PVD ​​晶種，並在整個晶圓或面板基板上以微米精度和嚴格均勻性電鍍更精細的 RDL。主要挑戰之一是尋找能夠在各種大面積上均勻地提供薄而均勻的籽晶和低於 10 µm L/S 的細線 RDL 電鍍的濺射和電鍍機器。

銅柱	凸塊	重布線層	Marco 銅柱